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Infineon mejora 100V Mosfets con Optimos 6

Infineon-SuperSO8-fused-leads-OptiMOS-6 610

En comparación con Optimos 5, la compañía reclama:

  • RDS (ON) mejor en un 18%
  • QG X RDS (ON) mejor un 29%
  • QGD X RDS (ON) mejor en un 42%

"En un convertidor de buck-buck-buck-buck-buck-de 36-60V a 12V de voltaje cero, Opttimos 6 en Superso8 con 2.2MΩ puede lograr una eficiencia del 1% más alta que el BSC027N10N10NS5 de 2.7MΩ 5 Optimos 5 en todo el rango de carga", reclamó Infineon. "Esto resulta en una pérdida de potencia más baja de 7W debido a los cargos mejorados y los RDS (ON), lo que permite una densidad de potencia más alta del 15%".


Las aplicaciones se prevén en las fuentes de alimentación del modo de interruptor, así como las solares, las herramientas eléctricas, los drones y los sistemas de gestión de baterías.



Las piezas están disponibles ahora en 5 x 6 mm SUPERSO8 y 3.3 x 3.3mm PQFN 3.3 × 3.3.

Paquete Parte RDS (ON) @ 10V
Superso8
5x6mm
ISC022N10NM6 2.2mΩ
ISC027N10NM6 2.7mΩ
ISC030N10NM6 3MΩ
ISC060N10NM6 6mΩ
ISC080N10NM6 8mΩ
Isc230n10nm6 23mΩ
Pqfn
3.3 × 3.3mm
Isz080n10nm6 8mΩ
Isz230n10nm6 23mΩ

La carga total de la puerta para el ISC022N10NM6 de 2.24MΩ es 73NC TYPE (91NC MAX) a 50 VDDD 25A ID 0-10VGS. La carga de recuperación inversa del diodo típico es 70NC a 50VR, 25A si, 100A / μs DIF / DT (325NC a 1,000a / μs). Su hoja de datos está aquí.